IRF840SPBF TRANSISTOR N-CH 500V 8A

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Altura 4.83mm
  Ancho 9.65mm
  Capacitancia de Entrada Típica @Vds 1.300 pF a 25 V
  Carga Típica de Puerta @ Vgs 63 nC a 10 V
  Categoría MOSFET de potencia
  Configuración Único
  Conteo de Pines 3
  Corriente Máxima Continua de Drenaje 8 A
  Dimensiones 10.41 x 9.65 x 4.83mm
  Disipación de Potencia Máxima 3100 mW
  Longitud 10.41mm
  Modo de Canal Mejora
  Número de Elementos por Chip 1
  Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0.85 Ω
  Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
  Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
  Tensión Máxima Drenador-Fuente 500 V
  Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
  Tiempo de Retardo de Apagado Típico 49 ns
  Tiempo de Retardo de Encendido Típico 14 ns
  Tipo de Canal No
  Tipo de Encapsulado D2PAK
  Tipo de Montaje Montaje superficial
7084752

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