SI4134DY-T1-GE3 MOSFET N CANAL 30V 14A SO8

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Power MOSFET, N Channel, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Surface Mount

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  • Intensidad Drenador Continua Id: 14A
  • Diseño de Transistor: SOIC
  • Disipación de Potencia Pd: 5W
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 30V
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
  • Núm. de Contactos: 8
  • Resistencia de Activación Rds(on): 0.0115ohm
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (17-Dec-2014)
  • Tensión Umbral Vgs: 1.8V
  • Transistor, Polaridad: Canal N
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