DS1225AD-150IND+ SRAM NO VOLÁTIL

43,32 €
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Sustituto del DS1225Y-150+. NVSRAM, 64Kbit, 8K x 8bit, Lectura/Escritura 150ns, Paralela, 4.75V a 5.25V, EDIP-28

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La DS1225AD-150IND+ es una SRAM no volátil de 64K en un encapsulado EDIP de 28 pines. Se trata de una SRAM de 65.536 bits, totalmente estática y no volátil, organizada en 8192 palabras de 8 bits. Cada SRAM no volátil integra una fuente de energía de litio integrada y circuitería de control para supervisión constante de VCC a fin de detectar condiciones fuera de tolerancia. Cuando se produce una condición de este tipo, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura se activa incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. La SRAM NV puede usarse en lugar de las SRAM de 8K x 8 existentes y se ajusta directamente al popular encapsulado DIP de 28 pines de bytewide. El dispositivo coincide con la disposición de pines de la EPROM 2764 y la EEPROM 2864, lo que permite una sustitución directa al tiempo que mejora el rendimiento. No hay límite en el número de ciclos de escritura que pueden ejecutarse y no se requiere circuitería de soporte adicional para la interconexión con el microprocesador.
    Rango de tensión de alimentación de 4.5V a 5,5V
    Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C
    Datos protegidos automáticamente durante pérdidas de potencia
    Sustitución directa de EEPROM o RAM estática volátil 8K x 8
    Ciclos de escritura ilimitados
    CMOS de baja potencia
    El tiempo de acceso de lectura y escritura es de 150ns
    La fuente de energía de litio se desconecta para conservar la frescura hasta que se aplica energía por primera vez
    La tensión de protección contra escritura es de 4,37 V
    La corriente de funcionamiento es de 85 mA

Tamaño de la Memoria: 64Kbit
Densidad de Memoria: 64Kbit
Organización de Memoria: 8K x 8bit
Configuración de Memoria: 8K x 8bit
Tiempo de Acceso para Lectura: 150ns
Tiempo de Acceso para Escritura: 150ns
Tensión de Alimentación Mín.: 4.5V
Tensión de Alimentación Máx.: 5.5V
Encapsulado de Memoria: EDIP
Número de Pines: 28Pines
Tipo de Interfaz de Circuito: Paralelo
Interfaces: Paralelo
Temperatura de Trabajo Mín.: -40°C
Montaje de Cirucito:  Agujero Pasante
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 85°C

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