SKM50GB12T4 MODULO IGBT, 50A, 1200V

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  • IGBT, HALFBRIDGE, MÓDULO, 50A, 1200V
  • Transistor, Polaridad: Dual NPN
  • Corriente de Colector DC: 81A
  • Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
  • Disipación de Potencia Pd: -
  • Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 1.2kV
  • Diseño de Transistor: SEMITRANS 2
  • Núm. de Contactos: 7
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
  • Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Jun-2014)
  • Temperatura de Trabajo Mín.: -40°C
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