IRFB4620PBF TRANSISTOR MOSFET

El IRFB4620PBF es un MOSFET de potencia de canal N simple HEXFET® que ofrece robustez mejorada de puerta, avalancha y capacidad dV/dt dinámica. Es adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, circuitos de conmutación dura y alta frecuencia.
    SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
    Capacidad mejorada dv/dt y di/dt de cuerpo de diodo.

Tipo de Canal: Canal N
Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 25A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.06ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 0.06ohm
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Montaje de Transistor: Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 3V
Disipación de Potencia Pd: 144W
Encapsulado del Transistor: TO-220AB
Disipación de Potencia: 144W
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C