TK14G65W,RQ-S MOSFET, CANAL N, 650V, 13.7A, D2PAK

Tipo de Canal: Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Corriente de Drenaje Continua Id: 13.7A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 0.22ohm
Encapsulado del Transistor: D2PAK
Montaje de Transistor: Montaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 3.5V
Disipación de Potencia: 130W
Número de Pines: 3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C