12NF06 MOSFET de Potencia, Canal N, 60V, 12A, 0.08ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
El STD12NF06T4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II desarrollado mediante el exclusivo proceso de tira Single Feature Size™ de STMicroelectronics. El dispositivo presenta una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para una baja resistencia de encendido, características robustas de avalancha y pasos de alineación menos críticos, lo que se traduce en una notable reproducibilidad de fabricación. Excepcional capacidad dV/dt Baja carga de compuerta Rango de temperatura de unión de -55 a 175 °C
Tipo de Canal Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id 12A
Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on) 10V
Disipación de Potencia 30W
Temperatura de Funcionamiento Máx. 175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08ohm
Montaje de Transistor Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3V
Número de Pines 3Pins
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado