IRFS9N60APBF MOSFET, N-CH, 600V, 9.2A, TO-263

Tipo de Canal: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 9.2A
Encapsulado del Transistor: TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Disipación de Potencia: 170W
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 0.75ohm
Montaje de Transistor: Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 4V
Número de pines: 3Pins-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado