El HUF75545P3 es un MOSFET de potencia de canal N UltraFET con resistencia de encendido ultrabaja. Curva de corriente pico vs. ancho de pulso Curva de clasificación UIS Modelos de simulación: PSPICE® y SABER™ con compensación de temperatura, SPICE y SABER con impedancia térmica.
Tipo de Canal: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Encapsulado del Transistor: TO-220AB Tensión de Prueba Rds(on): 10V Disipación de Potencia: 270W Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C- Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): Lead (25-Jun-2025) Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 0.01ohm Montaje de Transistor: Orificio Pasante Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 4V Número de pines: 3Pins