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P70030E MOSFET de Potencia, Canal N, 100V, 150 A, 3180µohm, TO-220AB, Orificio Pasante
Tipo de Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id 150A
Encapsulado del Transistor TO220AB
Tensión de Prueba Rds(on) 10V
Disipación de Potencia 375W
Temperatura de Funcionamiento Máx. 175º
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
Lead (04-Feb-2026)
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 318uohm
Montaje de Transistor Orificio pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4V
Número de pines 3
Gama de Producto TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
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P70030E MOSFET de Potencia, Canal N, 100V, 150 A, 3180µohm, TO-220AB, Orificio Pasante