IPP65R065C7 MOSFET HIG POWER

Fabricante: Infineon     
Categoría de producto: MOSFET     
RoHS: Si      
Tecnología: Si     
Estilo de montaje: Through Hole     
Empaquetado / Estuche: TO-220-3     
Polaridad de transistor: N-Channel     
Número de canales: 1 Channel     
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 650 V     
Id: corriente de drenaje continuo: 33 A     
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 58 mOhms     
Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 20 V, 20 V     
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3 V     
Qg (carga de compuertas): 64 nC     
Temperatura operativa mínima: - 55 C     
Temperatura operativa máxima: + 150 C     
Pd (disipación de potencia): 171 W     
Modo canal: Enhancement     
Nombre comercial: CoolMOS     
Empaquetado: Tube     
Marca: Infineon Technologies     
Configuración: Single     
Tiempo de caída: 7 ns     
Tipo de producto: MOSFETs     
Tiempo de establecimiento: 14 ns