STP20NM60FP TRANSISTOR, MOSFET, N, 20NM60

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  • Intensidad Drenador Continua Id: 20A
  • Diseño de Transistor: TO-220FP
  • Disipación de Potencia Pd: 45W
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 600V
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
  • Núm. de Contactos: 3
  • Resistencia de Activación Rds(on): 0.25ohm
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 30V
  • Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (17-Dec-2014)
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Transistor, Polaridad: Canal N
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