SI9407BDY-T1-G3, MOSFET, CH P, 60V,4.7A

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Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id:-4.7A
Tensión Drenador/Fuente (Vds):-60V
Resistencia en Estado ON (Rds):0.1ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):-10V
Tensión Umbral Vgs:-3V
Disipación de Potencia Pd: 5W
Diseño de Transistor:SOIC
Núm. de Contactos Macho:8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.: 150ºC
2101454

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