MOC8101X OPTOACOPLADOR TRANSISTOR

La serie MOC8101/2/3/4/G está construida de un diodo de emisión de infrarrojos de arseniuro de galio junto con un detector de fototransistor de silicio monolítico. Se han diseñado y especificado para cumplir los requisitos de fuentes de alimentación de modo conmutado y otras aplicaciones que requieren relaciones de transferencia de corriente (CTR) muy ajustadas, linealidad y un rendimiento estable en el rango de temperaturas. La conexión de base a 6 contactos interna se ha eliminado para mejorar la inmunidad al ruido. Opción de montaje en superficie disponible.

Cómodo encapsulado doble en línea de plástico.
Aislamiento de entrada-salida alta garantizado: 3.750 V ac (rms).
Formato de cable especial disponible para distancia de separación mínima de 8 mm entre almohadillas de soldadura de entrada y salida.