MJE3055, 3055 Tipo de caso: TO-220AB, Polarida: NPN, Terminación: Montaje por orificio pasante, ROHS: si, Frecuencia: 2MHz, Tensión (VCB): 70V, tensión : 60V, Tensión máxima: 60V, capacidad: 75W, amperios max.: 10A, Temperatura máxima: 150°C
El MJE3055T es un transistor de potencia NPN de base epitaxial de silicio de 60 V, diseñado para circuitos de conmutación de potencia y amplificadores de propósito general. Sus rápidos tiempos de conmutación y su baja tensión de saturación reducen las pérdidas de conmutación y conducción. Complementario al MJE2955T. El parámetro hFE está bien controlado para una mayor fiabilidad.
Polaridad de Transistor: NPN
Corriente de Colector Continua: 10A
Encapsulado del Transistor: TO-220
Número de pines: 3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE: 400hFE
Tensión Colector-Emisor Máx: 60V
Disipación de Potencia: 75W
Montaje de Transistor: Orificio Pasante
Frecuencia de Transición: 2MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (21-Jan-2025)
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MJE3055, 3055 Tipo de caso: TO-220AB, Polarida: NPN, Terminación: Montaje por orificio pasante, ROHS: si, Frecuencia: 2MHz, Tensión (VCB): 70V, tensión : 60V, Tensión máxima: 60V, capacidad: 75W, amperios max.: 10A, Temperatura máxima: 150°C