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STD5NM60T4 MOSFET, N, D-PAK
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STD5NM60T4 MOSFET, N, D-PAK

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Impuestos incluidos

5NM60T4 MOSFET de Potencia, Canal N, 650V, 5A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

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Fecha de entrega aproximada en 1 - 2 semanas

El STD5NM60T4 es un MOSFET de potencia MDmesh™ de canal N que ofrece una excepcional resistencia de encendido baja, un dv/dt impresionantemente alto y excelentes características de avalancha. MDmesh™ es una nueva y revolucionaria tecnología de MOSFET de potencia que combina el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH™ de la compañía. La adopción de la técnica de tiras patentada de la compañía proporciona un rendimiento dinámico general significativamente superior al de productos similares de la competencia. 100 % probado contra avalanchas Alto dv/dt y excelentes capacidades de avalancha Baja capacitancia de entrada y carga de puerta Baja resistencia de entrada de puerta

Tipo de Canal: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 5A
Encapsulado del Transistor: TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Disipación de Potencia: 96W
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 1ohm
Montaje de Transistor: Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 4V
Número de pines: 3 Pins
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado

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