STD5NM50T4 TRANSISTOR MOSFET, CANAL N,

El STD5NM60T4 es un MOSFET de potencia MDmesh™ de canal N que ofrece una excepcional resistencia de encendido baja, un dv/dt impresionantemente alto y excelentes características de avalancha. MDmesh™ es una nueva y revolucionaria tecnología de MOSFET de potencia que combina el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH™ de la compañía. La adopción de la técnica de tiras patentada de la compañía proporciona un rendimiento dinámico general significativamente superior al de productos similares de la competencia. 100 % probado contra avalanchas Alto dv/dt y excelentes capacidades de avalancha Baja capacitancia de entrada y carga de puerta Baja resistencia de entrada de puerta.

Tipo de Canal: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 5A
Encapsulado del Transistor: TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on): 10V
Disipación de Potencia: 96W
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor: 1ohm
Montaje de Transistor: Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente: 4V
Número de pines: 3Pins
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Ilimitado